DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/1167| Назва: | Фоточутливість польових транзисторів Шотткі на епішарах GaAs на моно-Si-підкладці |
| Інші назви: | Photosensitivity of MESFETs on Epitaxy Layers of GaAs with Monocrystalline Silicon Wafer |
| Автори: | Новосядлий, Степан Петрович Грига, Володимир Михайлович Павлишин, А. В. Луковкін, Володимир Віталійович |
| Ключові слова: | ПТШ арсенідгалій гетероперехід |
| Дата публікації: | 2019 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Новосядлий С. П. Фоточутливість польових транзисторів Шотткі на епішарах GaAs на моно-Si-підкладці / С. П. Новосядлий, В. М. Грига, А. В. Павлишин, В. М. Луковін // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 4. - С. 453-456. |
| Короткий огляд (реферат): | Досліджені основи і фізичні механізми, які визначають фоточутливість арсенідгалієвих ПТШ на моно-Si-підкладках на бар’єрі Шотткі при їх освітленні випромінювання в області домішкової смуги поглинання. Проведені експерименти показали, що характер змін струму стоку в такій структурі при освітленні визначаються типом глибоких центрів, а величина його зміни визначається в основному дією двох факторів: зміни ширини шару об’ємного заряду бар’єрного контакту та ширини дипольного шару на межі розділу активний гетероперехідний шар-Si-підкладка.Така конструкція структури ПТШ рекомендується як фотодетектор для приймальних оптичних модулів волоконно-оптичних систем передачі сигналів. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/1167 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 20, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 3956-12533-1-PB.pdf | 419.21 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.