1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2019
  6. Т. 20, № 4
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1167
Title: Фоточутливість польових транзисторів Шотткі на епішарах GaAs на моно-Si-підкладці
Other Titles: Photosensitivity of MESFETs on Epitaxy Layers of GaAs with Monocrystalline Silicon Wafer
Authors: Новосядлий, Степан Петрович
Грига, Володимир Михайлович
Павлишин, А. В.
Луковкін, Володимир Віталійович
Keywords: ПТШ
арсенідгалій
гетероперехід
Issue Date: 2019
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Новосядлий С. П. Фоточутливість польових транзисторів Шотткі на епішарах GaAs на моно-Si-підкладці / С. П. Новосядлий, В. М. Грига, А. В. Павлишин, В. М. Луковін // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 4. - С. 453-456.
Abstract: Досліджені основи і фізичні механізми, які визначають фоточутливість арсенідгалієвих ПТШ на моно-Si-підкладках на бар’єрі Шотткі при їх освітленні випромінювання в області домішкової смуги поглинання. Проведені експерименти показали, що характер змін струму стоку в такій структурі при освітленні визначаються типом глибоких центрів, а величина його зміни визначається в основному дією двох факторів: зміни ширини шару об’ємного заряду бар’єрного контакту та ширини дипольного шару на межі розділу активний гетероперехідний шар-Si-підкладка.Така конструкція структури ПТШ рекомендується як фотодетектор для приймальних оптичних модулів волоконно-оптичних систем передачі сигналів.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/1167
Appears in Collections:Т. 20, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3956-12533-1-PB.pdf419.21 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.