Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості напівпровідникових матеріалів

Abstract

В даній роботі поміряно спектри пропускання та відбивання монокристалів n-Si(100); n-GaAs (100); твердих розчинів Ge1-хSiх (х=0,85) в діапазоні (0,2 – 1,7)·10-6 м до та після лазерного опромінення на довжині світлової хвилі λ = 532 нм. Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, обумовлене наявністю ділянок напівпровідників що мають дефектну структуру і володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв’язувати домішки.