Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10878
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛевкун, М. П.-
dc.contributor.authorГургула, Галина Ярославівна-
dc.contributor.authorБойчук, Володимира Михайлівна-
dc.contributor.authorМатеїк, Галина Дмитрівна-
dc.date.accessioned2021-09-20T07:18:04Z-
dc.date.available2021-09-20T07:18:04Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationЛевкун М. П. Кристалоквазіхімічні моделі точкових дефектів і механізми легування кристалів ZnSe:Cr / М. П. Левкун, Г. Я. Гургула, В. М. Бойчук, Г. Д. Матеїк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 3. - С. 581-588.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10878-
dc.description.abstractЗапропоновано кристалоквазіхімічні формули легованих кристалів n-ZnSе:Cr та р-ZnSе:Cr. Визначено залежності концентрацій домінуючих точкових дефектів, концентрації вільних носіїв та холлівської концентрації носіїв струму від величини відхилення від стехіометричного складу (α, β) та концентрації домішки Сr.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectцинк селенідuk_UA
dc.subjectточкові дефектиuk_UA
dc.subjectкристалоквазіхімічні формулиuk_UA
dc.subjectлегуванняuk_UA
dc.titleКристалоквазіхімічні моделі точкових дефектів і механізми легування кристалів ZnSe:Cruk_UA
dc.title.alternativeCrystall Chemistry Model of Points Defects and Dopeing Mechanisms Crystals ZnSe:Cruk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 14, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1403-22.pdf933.26 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.