Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10878
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Левкун, М. П. | - |
dc.contributor.author | Гургула, Галина Ярославівна | - |
dc.contributor.author | Бойчук, Володимира Михайлівна | - |
dc.contributor.author | Матеїк, Галина Дмитрівна | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-20T07:18:04Z | - |
dc.date.available | 2021-09-20T07:18:04Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.citation | Левкун М. П. Кристалоквазіхімічні моделі точкових дефектів і механізми легування кристалів ZnSe:Cr / М. П. Левкун, Г. Я. Гургула, В. М. Бойчук, Г. Д. Матеїк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 3. - С. 581-588. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/10878 | - |
dc.description.abstract | Запропоновано кристалоквазіхімічні формули легованих кристалів n-ZnSе:Cr та р-ZnSе:Cr. Визначено залежності концентрацій домінуючих точкових дефектів, концентрації вільних носіїв та холлівської концентрації носіїв струму від величини відхилення від стехіометричного складу (α, β) та концентрації домішки Сr. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | цинк селенід | uk_UA |
dc.subject | точкові дефекти | uk_UA |
dc.subject | кристалоквазіхімічні формули | uk_UA |
dc.subject | легування | uk_UA |
dc.title | Кристалоквазіхімічні моделі точкових дефектів і механізми легування кристалів ZnSe:Cr | uk_UA |
dc.title.alternative | Crystall Chemistry Model of Points Defects and Dopeing Mechanisms Crystals ZnSe:Cr | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т. 14, № 3 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
!1403-22.pdf | 933.26 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.