DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10878| Title: | Кристалоквазіхімічні моделі точкових дефектів і механізми легування кристалів ZnSe:Cr |
| Other Titles: | Crystall Chemistry Model of Points Defects and Dopeing Mechanisms Crystals ZnSe:Cr |
| Authors: | Левкун, М. П. Гургула, Галина Ярославівна Бойчук, Володимира Михайлівна Матеїк, Галина Дмитрівна |
| Keywords: | цинк селенід точкові дефекти кристалоквазіхімічні формули легування |
| Issue Date: | 2013 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Левкун М. П. Кристалоквазіхімічні моделі точкових дефектів і механізми легування кристалів ZnSe:Cr / М. П. Левкун, Г. Я. Гургула, В. М. Бойчук, Г. Д. Матеїк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 3. - С. 581-588. |
| Abstract: | Запропоновано кристалоквазіхімічні формули легованих кристалів n-ZnSе:Cr та р-ZnSе:Cr. Визначено залежності концентрацій домінуючих точкових дефектів, концентрації вільних носіїв та холлівської концентрації носіїв струму від величини відхилення від стехіометричного складу (α, β) та концентрації домішки Сr. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/10878 |
| Appears in Collections: | Т. 14, № 3 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| !1403-22.pdf | 933.26 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.