Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10849
Назва: Вплив швидких важких іонів Xe26+ на властивості плівок оксиду цинку, осаджених на підкладках кремнію
Інші назви: Effect of Swift Heavy Ion Xe26+ on the Properties of ZnO Films Deposited on Silicon Substrates
Автори: Миронюк, Денис Валерійович
Лашкарьов, Георгій Вадимович
Романюк, Анатолій Сергійович
Лазоренко, В. Й.
Штеплюк, Іван Іванович
Скуратов, В. О.
Тімофеєва, І. І.
Стрельчук, Віктор Васильович
Коломис, О. Ф.
Хомяк, Володимир Васильович
Ключові слова: опромінення
рекристалізація
точкові дефекти
швидкі важкі іони
Дата публікації: 2013
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Миронюк Д. В. Вплив швидких важких іонів Xe26+ на властивості плівок оксиду цинку, осаджених на підкладках кремнію / Д. В. Миронюк, Г. В. Лашкарьов, А. С. Романюк, В. Й. Лазоренко, І. І. Штеплюк, В. О. Скуратов, І. І. Тімофеєва, В. В. Стрельчук, О. Ф. Коломис, В. В. Хомяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 3. - С. 541-546.
Короткий огляд (реферат): Плівки оксиду цинку, вирощені методом магнетронного осадження при постійному струмі на підкладках n-кремнію, були опромінені до різних флюенсів іонами Хе26+ з енергією 167 МеВ. Вихідні та опромінені зразки були досліджені методами рентгенівського структурного аналізу, фотолюмінесценції та спектроскопії резонансного комбінаційного розсіювання світла. Встановлено, що опромінення високоенергетичними іонами ксенону викликає зменшення розміру областей когерентного розсіювання, переорієнтацію кристалітів та зростання інтенсивності дефектної смуги ФЛ.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/10849
Розташовується у зібраннях:Т. 14, № 3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1403-14.pdf282.06 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.