Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10847
Назва: Фотоелектричні властивості чистих та активованих Mn2+ тонких плівок галату цинку
Інші назви: Photoelectrical Properties of Pure and Activated Mn2+ Thin Films of Zinc Gallate
Автори: Бордун, Олег Михайлович
Бігдай, В. Г.
Кухарський, Ігор Йосифович
Стасюк, Зеновій Васильович
Ключові слова: галат цинку
тонка плівка
провідність
катодолюмінесценція
Дата публікації: 2013
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Бордун О. М. Фотоелектричні властивості чистих та активованих Mn2+ тонких плівок галату цинку / О. М. Бордун, В. Г. Бігдай, І. Й. Кухарський, З. В. Стасюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 3. - С. 532-535.
Короткий огляд (реферат): Досліджено катодолюмінесцентні та фотоелектричні властивості тонких плівок ZnGa2O4 і ZnGa2O4:Mn, одержаних методом ВЧ-магнетронного розпилення в залежності від умов та атмосфери термообробки. Встановлено, що відновлювальна атмосфера відпалу до 750°С приводить до зростання інтенсивності люмінесценції та зростання електричної провідності плівок. Зростання провідності тонких плівок ZnGa2O4:Mn після відпалу у відновлювальній атмосфері пов’язується із створенням великої концентрації кисневих вакансій і міжвузельних катіонних дефектів, що приводить до появи провідності nтипу.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/10847
Розташовується у зібраннях:Т. 14, № 3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1403-12.pdf136.56 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.