DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10846| Назва: | Дослідження особливостей утворення і росту кристалів оксиду на поверхні вольфраму |
| Інші назви: | Peculiarities of Tungsten Oxide Fibers Formation and Growth |
| Автори: | Орловська, Світлана Георгіївна Шкоропадо, Максим Сергійович Карімова, Ф. Ф. |
| Ключові слова: | високотемпературне окислення оксиди вольфраму кристалічні структури вольфрам |
| Дата публікації: | 2013 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Орловська С. Г. Дослідження особливостей утворення і росту кристалів оксиду на поверхні вольфраму / С. Г. Орловська, М. С. Шкоропадо, Ф. Ф. Карімова // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 3. - С. 527-531. |
| Короткий огляд (реферат): | Проведено дослідження механізму утворення ниткоподібних кристалів оксиду на поверхні вольфрамових дротиків у процесі високотемпературного окислення в повітрі. Визначено умови виникнення ниткоподібних кристалів та особливості їх зростання. Встановлено, що початкові кристали утворюються при температурах вищих за 900К на вуглецевих частинках, які знаходяться на поверхні суцільного оксидного шару. Доказано, що ниткоподібні кристали зростають досить швидко і розгалужуються, перетворюючись в гіллясті та кущисті оксидні структури. Запропоновано фізикохімічний механізм утворення і зростання оксидних кристалічних структур на поверхні вольфраму. Визначено швидкості росту геометричних розмірів кристалів. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10846 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 14, № 3 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1403-11.pdf | 682.95 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.