Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10838
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Головацький, Володимир Анатолійович | - |
dc.contributor.author | Бернік, Інна Богданівна | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-15T08:17:44Z | - |
dc.date.available | 2021-09-15T08:17:44Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.citation | Головацький В. А. Сили осцилятора внутрішньозонних квантових преходів у сферичній квантовій точці GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs з центральною донорною домішкою / В. А. Головацький, І. Б. Бернік // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 3. - С. 480-486. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/10838 | - |
dc.description.abstract | На основі енергетичного спектру та хвильових функцій електрона у сферичній багатошаровій наносистемі GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs з центральною воднеподібною домішкою, отриманих у наближенні ефективних мас та прямокутних потенціальних бар’єрів, розраховано розподіл густини ймовірності знаходження квазічастинки у наносистемі та досліджено вплив домішки на сили осциляторів внутрішньозонних переходів. Отримано залежності інтенсивності квантових переходів електрона з основного (1s) стану в збуджені 1p та 2p стани від геометричних розмірів наносистеми. Показано, що для кожного квантового переходу існують свої діапазони розмірів наносистеми, при яких сили осцилятора досягають максимальних значень. Наявність донорної домішки суттєво впливає як на розподіл густини ймовірності розподілу електрона в наносистемі, так і на сили осциляторів квантових переходів. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | багатошарова квантова точка | uk_UA |
dc.subject | внутрішньозонні квантові переходи | uk_UA |
dc.subject | донорна домішка | uk_UA |
dc.subject | сили осцилятора | uk_UA |
dc.title | Сили осцилятора внутрішньозонних квантових преходів у сферичній квантовій точці GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs з центральною донорною домішкою | uk_UA |
dc.title.alternative | Oscillator Strengths of Intraband Transitions in Spherical Quantum Dot GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs with Central Donor Impurity | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Розташовується у зібраннях: | Т. 14, № 3 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
!1403-03.pdf | 281.42 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.