DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10822| Title: | Оптимізація термоелектричної добротності кристалічних PbX |
| Other Titles: | Thermoelectric Figure of Merit Optimization of PbX (X = S, Se, Te) Crystals |
| Authors: | Фреїк, Дмитро Михайлович Никируй, Любомир Іванович Дзумедзей, Роман Олексійович Возняк, Орест Михайлович Лисак, Алла Василівна |
| Keywords: | термоелектрична добротність механізми розсіювання носіїв заряду халькогеніди свинцю |
| Issue Date: | 2013 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Фреїк Д. М. Оптимізація термоелектричної добротності кристалічних PbX / Д. М. Фреїк, Л. І. Никируй, Р. О. Дзумедзей, О. М. Возняк, А. В. Лисак // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 2. - С. 383-389. |
| Abstract: | Розраховано та проаналізовано значення термоелектричних параметрів кристалів халькогенідів свинцю n-типу провідності. Розглянуто ефективність термоелектричного матеріалу – безрозмірну добротність, визначено шляхи її оптимізації. Показано, що зміною технологічних факторів можна регулювати вид домінуючих меанізмів розсіювання носіїв заряду, а отже, й підвищити результуюче значення добротності матеріалу. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/10822 |
| Appears in Collections: | Т. 14, № 2 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 1402-10.pdf | 169.03 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.