Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1079
Title: Електрофізичні властивості модифікрваних індієм тонких плівок As2(S, Se)3
Other Titles: Electrophysical Properties of Indium Doped As2(S, Se)3 thin Films
Authors: Грицище, Я. В.
Лоя, Василь Юрійович
Козак, Мирослав Іванович
Чичура, Ігор Іванович
Соломон, Андрій Михайлович
Красилинець, Василь Миколайович
Keywords: халькогенідні стекла
енергія активації
модифікація
тонкі плівки
Issue Date: 2016
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Грицише Я. В. Електрофізичні властивості модифікрваних індієм тонких плівок As2(S, Se)3 / Я. В. Грицище, В. Ю. Лоя, М. І. Козак, І. І. Чичура, А. М. Соломон, В. М. Красилинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 4. - С. 511-514.
Abstract: Проведено електрофізичні дослідження модифікованих індієм тонких плівок на основі склоподібних As<sub>2</sub>S<sub>3</sub> та As<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>. Визначено енергію активації та виявлено фотоелектричну пам’ять у досліджуваних зразках.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/1079
Appears in Collections:Т. 17, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1233-5958-1-PB.pdf187.95 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.