DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/1078| Title: | Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe |
| Other Titles: | Topology and Photoelectric Properties of Heterostructure p-GaTe – n-InSe |
| Authors: | Катеринчук, Валерій Миколайович Кушнір, Б. В. Кудринський, Захар Русланович Ковалюк, Захар Дмитрович Ткачук, Іван Георгійович Литвин, Оксана Степанівна |
| Keywords: | шаруваті кристали гетеропереходи АСМ-зображення спектральні характеристики |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Катеринчук В. М. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, О. С. Литвин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 4. - С. 507-510. |
| Abstract: | Досліджені фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe – n-InSe, що сформовані методом механічного контакту окисленої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетерограниці p-GaTe – n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>. Побудована енергетична зонна діаграма гетеропереходу. Встановлено, що гетероперехід p-GaTe – n-InSe володіє фоточутливістю в діапазоні 0,74 - 1,0 мкм. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/1078 |
| Appears in Collections: | Т. 17, № 4 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 1232-5955-1-PB.pdf | 1.01 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.