Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10757
Назва: До проблеми сегрегації домішок рідкісноземельних елементів у кристалах AIVB VI , вирощуваних з легованих розплавів
Інші назви: The Problem of Segregation of Rare-Earth Impurities in Iv-Vi Semiconductors Grown from Doped Melts
Автори: Заячук, Дмитро Михайлович
Ільїна, О. С.
Ключові слова: легування
метод Бріджмена
сегрегація
домішки рідкісноземельних елементів
Дата публікації: 2013
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Заячук Д. М. До проблеми сегрегації домішок рідкісноземельних елементів у кристалах AIVB VI , вирощуваних з легованих розплавів / Д. М. Заячук, О. С. Ільїна // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 1. - С. 54-61.
Короткий огляд (реферат): Проаналізовано результати немонотонного розподілу домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ) у кристалах A IVB VI , вирощених з розплаву методом Бріджмена і легованих домішками в процесі росту. Аналіз проведено в рамках лінійної та квадратичної залежностей температури ліквідусу TL і температури солідусу TS системи “A IVB VI – домішка РЗЕ” від вмісту домішки x за малої концентрації домішки. Показано, що нелінійність залежностей TL(x) і TS(х) суттєво змінює профілі розподілу домішки вздовж легованих кристалів, але за фізично обґрунтованих залежностей температур ліквідусу і солідусу від концентрації домішки не може приводити до немонотонного характеру профілів її розподілу. Зроблено висновок, що немонотонності типу максимуму на координатній залежності концентрації легуючої домішки РЗЕ в легованих кристалах A IVB VI спричинені не характером діаграм стану “A IVB VI – домішка РЗЕ”, а мають сугубо технологічне походження. Висунуто припущення, що найбільш імовірною причиною немонотонності концентраційних профілів розподілу легуючих домішок РЗЕ вздовж легованих кристалів A IVB VI є формування комплексів легуючої і фонових домішок в кристалі, в першу чергу – комплексів домішок РЗЕ і кисню, який завжди присутній у процесі вирощування кристалів PbTe з розплаву.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/10757
Розташовується у зібраннях:Т. 14, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1401-07.pdf223.27 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.