1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2014
  6. Т. 15, № 4
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10738
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorМарчук, С. М.-
dc.contributor.authorВарварук, В. М.-
dc.contributor.authorМельник, Л. В.-
dc.date.accessioned2021-08-20T11:05:13Z-
dc.date.available2021-08-20T11:05:13Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Моделі напівізолюючих шарів арсеніду галію при їх формуванні багатозарядною іонною імплантацією / С. П. Новосядлий, С. М. Марчук, В. М. Варварук, Л. В. Мельник // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 872-878.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10738-
dc.description.abstractРозроблена технологія багатозарядної імплантації домішок, які дозволяють формувати латеральні та вертикальні ізолюючі шари. Проведені експериментальні дослідження по створенню високоомних та термостабільних ізолюючих шарів в іонно-легованих n+ -n- -i-структурах на напівізолюючому GaAs.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectарсенід-галієва технологіяuk_UA
dc.subjectбагатозарядна імплантаціяuk_UA
dc.subjectфонові домішкиuk_UA
dc.titleМоделі напівізолюючих шарів арсеніду галію при їх формуванні багатозарядною іонною імплантацієюuk_UA
dc.title.alternativeModels Semiinsulating Layers of Gallium Arsenide in Their Formation of Multiply Charged Ion Implantationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 15, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1504-31.pdf313.27 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.