1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2014
  6. Т. 15, № 4
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10721
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorФреїк, Дмитро Михайлович-
dc.contributor.authorТуровська, Лілія Вадимівна-
dc.contributor.authorГорічок, Ігор Володимирович-
dc.contributor.authorМатківський, Остап Миколайович-
dc.date.accessioned2021-08-19T07:33:48Z-
dc.date.available2021-08-19T07:33:48Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationФреїк Д. М. Кристалохімічне представлення амфотерного впливу домішки вісмуту у станум телуриді / Д. М. Фреїк, Л. В. Туровська, І. В. Горічок, О. М. Матківський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 774-779.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10721-
dc.description.abstractЗапропоновано моделі точкових дефектів у легованих вісмутом кристалах станум телуриду з урахуванням амфотерної дії домішки ( 3 3 Bi , Bi + - ). З’ясовано вплив величини диспропорціонування зарядового стану домішки на зміну концентрації носіїв заряду. На основі запропонованих кристалоквазіхімічних формул розраховано залежності концентрації точкових дефектів, холлівської концентрації носіїв заряду від вмісту легуючої домішки.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectстанум телуридuk_UA
dc.subjectточкові дефектиuk_UA
dc.subjectлегуванняuk_UA
dc.subjectвісмутuk_UA
dc.titleКристалохімічне представлення амфотерного впливу домішки вісмуту у станум телуридіuk_UA
dc.title.alternativeCrystal-Chemical Interpretation of Amphoteric Influence of Bismuth Impurity in Tin Tellurideuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 15, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1504-15.pdf468.48 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.