DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10721| Назва: | Кристалохімічне представлення амфотерного впливу домішки вісмуту у станум телуриді |
| Інші назви: | Crystal-Chemical Interpretation of Amphoteric Influence of Bismuth Impurity in Tin Telluride |
| Автори: | Фреїк, Дмитро Михайлович Туровська, Лілія Вадимівна Горічок, Ігор Володимирович Матківський, Остап Миколайович |
| Ключові слова: | станум телурид точкові дефекти легування вісмут |
| Дата публікації: | 2014 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Фреїк Д. М. Кристалохімічне представлення амфотерного впливу домішки вісмуту у станум телуриді / Д. М. Фреїк, Л. В. Туровська, І. В. Горічок, О. М. Матківський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 774-779. |
| Короткий огляд (реферат): | Запропоновано моделі точкових дефектів у легованих вісмутом кристалах станум телуриду з урахуванням амфотерної дії домішки ( 3 3 Bi , Bi + - ). З’ясовано вплив величини диспропорціонування зарядового стану домішки на зміну концентрації носіїв заряду. На основі запропонованих кристалоквазіхімічних формул розраховано залежності концентрації точкових дефектів, холлівської концентрації носіїв заряду від вмісту легуючої домішки. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10721 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 15, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1504-15.pdf | 468.48 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.