Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10719
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКушнір, Б. В.-
dc.contributor.authorКудринський, Захар Русланович-
dc.contributor.authorКамінський, Василь Миколайович-
dc.contributor.authorХомяк, В. В.-
dc.date.accessioned2021-08-18T11:43:20Z-
dc.date.available2021-08-18T11:43:20Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationКушнір Б. В. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, сформованої на поверхні шаруватого кристалу GaSe / Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, В. М. Камінський, В. В. Хомяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 763-766.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10719-
dc.description.abstractМетодом магнетронного напилення створено гетероструктуру n-ZnO - p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, що сформована на свіжосколотій поверхні шаруватого кристалу GaSe; встановлена область спектральної чутливості. Показано, що плівка ZnO має гексагональну структуру. Методом АСМ-зображень встановлено, що тонка оксидна плівка ZnO має зернисту структуру; виявлені багаточисленні канали, що свідчать про складний характер змочування підкладки оксидом цинку.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectселенід галіюuk_UA
dc.subjectтонка плівкаuk_UA
dc.subjectгетероперехідuk_UA
dc.subjectАСМ-зображенняuk_UA
dc.subjectZnOuk_UA
dc.titleТопологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, сформованої на поверхні шаруватого кристалу GaSeuk_UA
dc.title.alternativeTopology of Surface of ZnO thin Oxide Film Formed on GaSe Layered Crystal Surfaceuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 15, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1504-13.pdf564.17 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.