1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2014
  6. Т. 15, № 4
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10708
Назва: Вплив флуктуацій товщини на електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту
Інші назви: The Influence of Thickness Fluctuations on the Electroconductivity and Thermopower of Quantum Semiconductor Wire
Автори: Рувінський, Борис Маркович
Рувінський, Марк Аунович
Ключові слова: квантовий напівпровідниковий дріт
гауссові флуктуації товщини
електропровідність
термоерс
Дата публікації: 2014
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Рувінський Б. М. Вплив флуктуацій товщини на електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту / Б. М. Рувінський, М. А. Рувінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 689-692.
Короткий огляд (реферат): Визначено електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту, зумовлені випадковим полем гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв струму. Показано, що розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з GaAs при низьких температурах і допускає принципову можливість підвищення величини термоерс порівняно з випадком масивного тривимірного зразка.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/10708
Розташовується у зібраннях:Т. 15, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1504-02.pdf120.43 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.