Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10425
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМахній, Віктор Петрович-
dc.contributor.authorТкаченко, Ірина Володимирівна-
dc.contributor.authorЧерних, Олександр Іванович-
dc.contributor.authorПавлюк, Мирослав Федорович-
dc.date.accessioned2021-07-01T08:14:45Z-
dc.date.available2021-07-01T08:14:45Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationМахній В. П. Моделювання процесів дефектоутворення в кристалах ZnSe з ізовалентною домішкою Mg / В. П. Махній, І. В. Ткаченко, О. І. Черних, М. Ф. Павлюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 3. - С. 548-551.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10425-
dc.description.abstractМетодом квазіхімічних реакцій проведено розрахунок концентрацій рівноважних дефектів у кристалах ZnSe, легованих ізовалентною домішкою Mg. Встановлено, що у кристалах ZnSe:Mg домінують однозарядні вакансії цинку і селену, а також міжвузловинний селен. Провідність при цьому залишається дірковою при зміні температури легування Ta у межах 373-1273 К, а концентрація дірок зростає при зменшенні Ta і збільшенні концентрації введеного Mg.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectквазіхімічні реакціїuk_UA
dc.subjectрівноважні дефектиuk_UA
dc.subjectізовалентна домішкаuk_UA
dc.subjectсхема Шотткіuk_UA
dc.titleМоделювання процесів дефектоутворення в кристалах ZnSe з ізовалентною домішкою Mguk_UA
dc.title.alternativeThe Defects Modeling in ZnSe Crystals with Isovalent Mg Impurityuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 15, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1503-15.pdf135.44 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.