1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2019
  6. Т.20, №3
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/1040
Назва: Особливості електрофізичного діагностування польових транзисторів Шотткі на епітаксійних шарах GaAs на кремнієвих підкладках для мікросистемних використань
Інші назви: Features of Electrophysical Diagnostics of Schottky Field Transistors Based on GaAs Epitaxial Layers on Silicon Substrates for Microsystem Applications
Автори: Новосядлий, Степан Петрович
Бенько, Тарас Григорович
Когут, Ігор Тимофійович
Ключові слова: арсенід галію
польовий транзистор
тепловий опір
електрофізичне діагностування
Дата публікації: 2019
Бібліографічний опис: Новосядлий С. П. Особливості електрофізичного діагностування польових транзисторів Шотткі на епітаксійних шарах GaAs на кремнієвих підкладках для мікросистемних використань / С. П. Новосядлий, Т. Г. Бенько, І. Т. Когут // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 3. - С. 311-317
Короткий огляд (реферат): В даній статті проаналізовано структуру арсенід галієвого ПТШ на кремнієвій підкладці, придатногодля локальної інтеграції в КНІ-технології та метод його електрофізичного діагностування на основі змінтеплового опору RT. Відомо, що теплопровідність GaAs в 3 - 4 рази є гіршою порівняно кремнієм. Щобусунути цей недолік було розроблено технологію формування приладних швидкісних GaAs-структур наповерхні кремнієвої підкладки.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/1040
Розташовується у зібраннях:Т.20, №3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
3969-11747-1-PB.pdf675.72 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.