Морфологія поверхні кристалічного PbTe, розпиленого у плазмі аргону в умовах вторинної нейтральної мас-спектрометрії

Abstract

Досліджено морфологію бічних поверхонь кристалічних зразків PbTe, вирощених із розплаву методом Бріджмена та розпорошених у плазмі Ar+ із енергією іонів (50 - 550) еВ протягом (5 - 50) хв за умов вторинної нейтральної мас-спектрометрії (SNMS). Було встановлено, що розпорошені кристалічні поверхні PbTe одночасно були і джерелом розпорошеної речовини і ефективним субстратом для повторного осадження розпорошеної речовини через глибоке профілювання. При розпилюванні поверхні кристалу PbTe формується поглиблення рельєфу. Для того, щоб повторно осідали розпорошені Pb і Те, формують масиви мікроскопічних поверхневих структур у формі горбків, пірамід, конусів і інших на кристалічних поверхнях розпиленого PbTe. Показано кореляцію між щільністю повторно осаджених мікроскопічних поверхневих структур, їх формою і середніми розмірами, з однієї сторони, та енергією і часом розпилення, з іншої сторони.