Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10160
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorМарчук, С. М.-
dc.contributor.authorВарварук, В. М.-
dc.contributor.authorМельник, Л. В.-
dc.date.accessioned2021-06-10T12:42:32Z-
dc.date.available2021-06-10T12:42:32Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Конструкторсько-технологічні аспекти формування структур сонячних елементів (СЕ) на кремнієвих епітаксійних структурах (КЕС) / С.П. Новосядлий, С.М. Марчук, В.М. Варварук, Л.В. Мельник // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 1. - С. 202-205.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10160-
dc.description.abstractДосліджено параметри та характеристики структур СЕ, виготовлених на основі епітаксійних структур кремнію. Представлено систему: активована бором чи фосфором кремнієва підкладка і епітаксійний шар, який співпадає з підкладкою за типом провідності.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectсонячні елементи (СЕ)uk_UA
dc.subjectкремнієві епітаксійні структури (КЕС)uk_UA
dc.subjectепітаксійна технологіяuk_UA
dc.titleКонструкторсько-технологічні аспекти формування структур сонячних елементів (СЕ) на кремнієвих епітаксійних структурах (КЕС)uk_UA
dc.title.alternativeDesign and Technological Aspects of SC Structures on Silicon Epitaxial Structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 15, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1501-31.pdf163.37 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.