Фотолюмінесценція поруватих nc-Si/SiOx структур, імплантованих іонами вуглецю

Abstract

Проведені дослідження впливу імплантації іонів вуглецю на фотолюмінесценцію (ФЛ) поруватих ncSi/SiOx шарів з колоноподібною структурою, сформованих за допомогою осадження у вакуумі під ковзним кутом (glance angle deposition) і подальшого високотемпературного відпалу плівок SiОx. Встановлено, що спектр ФЛ імплантованих структур охоплює майже всю видиму та ближню ІЧ область і включає дві основні складові з максимумами в області 520 - 570 та 620 – 680 нм. Довгохвильова смуга ФЛ пов'язана з наночастками кремнію, а випромінювання у видимій області спектру може бути зумовлене люмінесценцією вуглецевих преципітатів та SiC нанокластерів. В результаті селективного травлення таких структур у парах HF інтенсивність ФЛ в усьому спектральному інтервалі значно зростає (до двох порядків) внаслідок пасивації центрів безвипромінювальної рекомбінації.